Mroczyński, R.; Głuszko, G.; B. Beck, R.; Jakubowski, A.; Ćwil, M.; Konarski, P.; Hoffmann, P.; Schmeißer, D. The Influence of Annealing (900◦C) of Ultra-Thin PECVD Silicon Oxynitride Layers. JTIT 2007, 29 (3), 16-19. https://doi.org/10.26636/jtit.2007.3.821.